电子束蒸发镀膜工艺(EB)

电子束蒸发镀膜的原理是利用电子枪EB-GUN产生的高能电子束对材料进行加热,使得镀膜材料液化、升华,随后在基底表面沉积形成薄膜。相比离子辅助镀膜和离子束溅射镀膜而言,电子束蒸发镀膜形成膜层结构较为疏松,不够致密,波长位置易受环境条件影响发生漂移。适合蒸发多数氧化物、氟化物、以及硫化物等镀膜材料。

真空镀膜过程中,采用离子源(射频源,霍尔源,考夫曼源等)对镀膜开始前的基片进行清洁,在镀膜沉积过程中采用电子束等方式蒸发镀膜材料到达基板,同时利用离子源产生的离子轰击正在生长的薄膜,从而改善薄膜内部结构,去除膜层内部吸附的水汽；使得膜层结构致密,减少波长漂移；降低膜层内部应力以及通过和反应气体的结合减少吸收。

离子束溅射(IBS)是一种物理气相沉积技术。离子源发射的离子轰击在镀膜靶材上,将靶材上的原子或者分子溅射到基片上形成薄膜。相比电子束蒸发和离子辅助沉积而言,离子束溅射形成的薄膜内部结构致密,性能稳定。应用于高损伤阈值激光元件的制造。

等离子体辅助反应磁控溅射(PARMS)

以金属、合金、低价金属化合物或半导体材料作为靶阴极，在溅射过程中或在基片表面沉积成膜过程中与气体粒子反应生成化合物薄膜，这就是反应磁控溅射。反应磁控溅射广泛应用于化合物薄膜的大批量生产。